[实用新型]一种650V高压VDMOS器件

说明书

本实用新型涉及一种650V高压VDMOS器件，包括金属场版，金属场版位于高压VDMOS器件的顶层，所述金属场版的尺寸为2460um*2460um，金属场版表面经过腐蚀形成一圈H非金属区和一圈F非金属区；所述H非金属区、F非金属区均为等宽非金属区；所述H非金属区、F非金属区均在金属版场的四角上平滑过渡，对应形成过渡部H1、过渡部F1。本申请在解决耐压测试打火问题的同时不改变芯片面积，成本不会增加，同时还大大提升了高压VDMOS的良品率，良品率可以达到95％。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件领域，特别是涉及一种650V高压VDMOS器件。

背景技术

高压VDMOS版图包括6层，需要6层光刻，即P+层,有源金属区，多晶栅极， N+层，接触孔，正面金属场版层。高压VDMOS版图通过金属场版提高耐压，但是金属场版容易在场版的末端产生电压集中，不合适的金属环间距会导致晶圆耐压测试时出现打火，打火会导致耐压偏低且对晶圆表面造成损伤，对产品的可靠性造成影响。

实用新型内容

本实用新型的目的在于在不改变芯片面积和其他光罩层设计的情况下，通过优化金属环的间距和宽度设计，有效解决晶圆耐压测试时的打火问题，本实用新型提供了一种650V高压VDMOS器件。

本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的：一种650V高压VDMOS器件，包括金属场版，金属场版位于高压VDMOS器件的顶层，所述金属场版的尺寸为 2460um*2460um，金属场版表面经过腐蚀形成一圈H非金属区和一圈F非金属区；所述H非金属区、F非金属区均为等宽非金属区；所述H非金属区、F非金属区均在金属版场的四角上平滑过渡，对应形成过渡部H1、过渡部F1；所述H非金属区除过过渡部H1的部分与所述金属场版的对应边缘平行设置，呈平直状；所述F非金属区与所述金属场版边缘平行的其中一边向金属场版中心凸入，形成方形突出部；所述F非金属区除过过渡部F1和突出部顶角的其他部分呈平直状。

进一步地，所述H非金属区在距离金属版场边缘258um处开始平滑过渡，形成的过渡部H1为1/4圆弧状；所述F非金属区在距离金属版场边缘258um处开始平滑过渡，形成的过渡部F1为1/4圆弧状。

进一步地，所述H非金属区宽度为81um，F非金属区宽度为6um；所述H非金属区除过过渡部H1的部分距离所述金属场版边缘的距离为17um，H非金属区与F非金属区的最小间距为26um。

进一步地，所述H非金属区除过过渡部H1的部分距离所述金属场版边缘的距离为14.5um，H非金属区与F非金属区的最小间距为21um；所述H非金属区从外到内依次包括B非金属区、C金属区和D非金属区；所述B非金属区和D非金属区均为等宽非金属区；所述B非金属区宽度为33um，C金属区宽度为15um， D非金属区宽度为38um，F非金属区宽度为11um。

进一步地，所述B非金属区在距离金属版场边缘258um处开始平滑过渡，形成过渡部B1；所述C金属区在距离金属版场边缘258um处开始平滑过渡，形成过渡部C1；所述D非金属区在距离金属版场边缘258um处开始平滑过渡，形成过渡部D1；所述过渡部B1、过渡部C1、过渡部D1均为1/4圆弧状。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：本申请提出了一种同时调整高压VDMOS金属终端环设计的方法，在解决耐压测试打火问题的同时不改变芯片面积，成本不会增加，同时还大大提升了高压VDMOS的良品率，本申请的良品率可以达到95％。

附图说明

图1是优化方案(1)金属场版示意图；

图2是优化方案(2)金属场版示意图；

图3是区域M的放大图；

图4是优化方案(2)金属场版顶角示意图；

图5是外延厚度变化时，电阻率的变化示意图；