[实用新型]相变存储器以及电子设备有效
| 申请号： | 202020921710.9 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN212542479U | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | P·波伊文;D·贝努瓦;R·贝特隆 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种相变存储器设备以及电子设备。该相变存储器设备包括：衬底；在衬底上的晶体管；在晶体管上的第一绝缘层；导电过孔，延伸穿过第一绝缘层；在第一绝缘层上的第二绝缘层；在导电过孔上的电阻元件，该电阻元件延伸穿过第二绝缘层；在电阻元件上的相变材料层；在相变材料层上的导电层；在导电层上的第三绝缘层；在第三绝缘层中的开口，该开口直接覆盖相变材料层；以及在该开口中的第四绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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