[实用新型]大电流并联半导体器件有效
| 申请号： | 202020841486.2 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN211858640U | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 廖兵;沈礼福 | 申请（专利权）人： | 苏州达晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/367;H01L25/11 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种大电流并联半导体器件，其2个二极管芯片位于金属基座正上方并且其各自同极性一端分别通过焊锡层与金属基座的2个支撑部电连接，位于金属基座下端的第一引脚部从环氧封装层内延伸出；所述引线架进一步包括横金属板和分别位于横金属板两端的第一竖金属板和第二竖金属板，所述横金属板的中央具有2个向下外凸的焊接凸起块；所述引线架的横金属板位于焊接区两侧分别开有至少一个第一通孔，所述引线架的第一竖金属板和第二竖金属板上分别开有至少2个第二通孔。本实用新型既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，其提高了引线架与环氧封装层的结合强度，从而提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 并联 半导体器件 | ||
【主权项】：
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