[实用新型]高可靠性半导体器件有效
| 申请号： | 202020823440.8 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN211957635U | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 唐兴军;王亚 | 申请（专利权）人： | 苏州兴锝电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L23/24;H01L23/367 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 215010 江苏省苏州市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种高可靠性半导体器件，包括二极管芯片、第一引线条和第二引线条，所述第一引线条的上端和下端分别为支撑部和第一引脚部，所述第一引线条的支撑部和第一引脚部之间具有一第一折弯部；所述第一引线条的支撑部的边缘开有至少2个第一通孔，此第一通孔的边缘具有与二极管芯片相背的第一翻边部；所述支撑部与第一折弯部相背的一端具有一向上折弯的上侧板，所述焊接部与第二折弯部相背的一端具有一向下折弯的下侧板，所述二极管芯片位于上侧板和下侧板之间。本实用新型高可靠性半导体器件有利于芯片热量的扩散，减少了热阻，改善了器件的散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠性 半导体器件 | ||
【主权项】：
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