[实用新型]一种基于碳化硅MOSFET的单相光伏并网逆变器有效

专利信息
申请号: 202020681405.7 申请日: 2020-04-28
公开(公告)号: CN212012494U 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 刘进平;郝文清;魏红亮;刘娟娟;曹兴;张宇;高欣;胡昊;郑鑫;宋艳;耿新宇 申请(专利权)人: 山西潞安环保能源开发股份有限公司;上海理工大学
主分类号: H02M7/537 分类号: H02M7/537;H02J3/38
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 徐颖
地址: 046000 *** 国省代码: 山西;14
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摘要: 实用新型涉及一种基于碳化硅MOSFET的单相光伏并网逆变器,光伏阵列输出直流电经过直流侧分压电容C1和C2滤波,直流侧分压电容C1和C2上的电压通过3组开关单元控制送往直流悬浮电容C3和C4,直流悬浮电容C3和C4上的电压通过另3组开关单元控制送往交流侧滤波电感L1和L2;控制单元实时采集并网电压,直流侧分压电容C1和C2电压,直流悬浮电容C3和C4电压以及并网电流,控制单元输出驱动信号控制驱动6组开关单元中的各个碳化硅MOSFET器件导通或关断。具有功率等级高、输出波形质量好、开关损耗低等特点,提高了单相光伏并网逆变器的可靠性和效率。
搜索关键词: 一种 基于 碳化硅 mosfet 单相 并网 逆变器
【主权项】:
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