[实用新型]一种离子源的汽化器有效
申请号: | 202020653506.3 | 申请日: | 2020-04-26 |
公开(公告)号: | CN211879345U | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 田文娟 | 申请(专利权)人: | 山西大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 太原申立德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14115 | 代理人: | 程园园 |
地址: | 030006*** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种离子源的汽化器,包括有坩埚、壳体、电弧室,壳体内竖直向上设置有第一凹槽,侧面设置有加热器,坩埚底部向下与第一凹槽连接,坩埚顶部对应设置有盖体,盖体内设置有第一气体通道、排气孔,盖体的边缘垂直向下设置有环状挡板,环状挡板与坩埚之间形成第二气体通道、与壳体之间行成第三气体通道,第一气体通道、第二气体通道连通、第三气体通道依次连通,盖体上方设置有盖板,盖板与盖体之间形成第四气体通道,第三气体通道与第四气体通道连通,盖板上设置有与电弧室连接的气体喷嘴。本实用新型提供的一种离子源的汽化器,避免了冷凝会造成流向离子源的蒸汽量减少,冷凝引起的堵塞会阻止蒸汽流向离子源的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 离子源 汽化器 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山西大学,未经山西大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202020653506.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种变压器线圈半匝结构
- 下一篇:内置光圈马达的相机镜头转接环
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造