[实用新型]一种离子源的汽化器

说明书

本实用新型公开了一种离子源的汽化器，包括有坩埚、壳体、电弧室，壳体内竖直向上设置有第一凹槽，侧面设置有加热器，坩埚底部向下与第一凹槽连接，坩埚顶部对应设置有盖体，盖体内设置有第一气体通道、排气孔，盖体的边缘垂直向下设置有环状挡板，环状挡板与坩埚之间形成第二气体通道、与壳体之间行成第三气体通道，第一气体通道、第二气体通道连通、第三气体通道依次连通，盖体上方设置有盖板，盖板与盖体之间形成第四气体通道，第三气体通道与第四气体通道连通，盖板上设置有与电弧室连接的气体喷嘴。本实用新型提供的一种离子源的汽化器，避免了冷凝会造成流向离子源的蒸汽量减少，冷凝引起的堵塞会阻止蒸汽流向离子源的问题。

技术领域

本实用新型涉及离子源技术领域，尤其涉及一种离子源的汽化器。

背景技术

现有技术中，离子源是用来生成用于执行各种半导体工艺(例如，离子植入)的离子的一种装置。在许多实施例中，掺杂剂物质常常是以气体形式被引入到离子源的电弧室中。掺杂剂物质接着被激发，例如由已经通过电势进行加速的高能电子进行激发或者由射频(radio frequency，RF)能量进行激发，从而生成离子，这些离子接着以离子束的形式从电弧室被提取出；掺杂剂物质可为固体形式，在将掺杂剂物质用于离子源的电弧室之前所述固体被汽化；与汽化器相关的一个问题是冷凝，在对坩埚进行加热时，设置在其中的固体材料达到足以产生所述固体材料所需要的蒸汽压力的温度；当汽化的气体逸出坩埚时，所述气体可能会遇到温度比坩埚内的温度低的区。如果这一较低的温度比含有掺杂剂的固体材料的温度低，则蒸汽可能开始冷凝。冷凝会造成流向离子源的蒸汽量减少，冷凝引起的堵塞也会阻止蒸汽流向离子源。因此，对于上述问题的解决尤为重要。

实用新型内容

为解决现有技术的缺点和不足，提供一种离子源的汽化器，从而避免蒸汽冷凝带来的问题。

为实现本实用新型目的而提供的一种离子源的汽化器，包括有坩埚、壳体、电弧室，所述壳体内部竖直向上设置有第一凹槽，所述坩埚底部向下与第一凹槽螺纹连接，所述坩埚的顶部对应设置有盖体，所述盖体内设置有第一气体通道，所述盖体上设置有与所述第一气体通道连通的排气孔，所述盖体的边缘垂直向下设置有环状挡板，所述环状挡板与坩埚之间形成第二气体通道、与壳体之间行成第三气体通道，所述第一气体通道与第二气体通道连通，所述第二气体通道与第三气体通道连通，所述盖体正上方设置有盖板，所述盖板与壳体的开口契合，所述盖板与盖体之间形成第四气体通道，所述第三气体通道与第四气体通道连通，所述盖板上设置有气体喷嘴，所述气体喷嘴与第四气体通道连通，所述气体喷嘴下端与壳体螺纹连接，另一端与电弧室连接，所述壳体的侧面设置有加热器。

作为上述方案的进一步改进，所述壳体底部设置有开口向下的第二凹槽，所述第二凹槽位于第一凹槽的正下方。

作为上述方案的进一步改进，所述第二凹槽内设置有温度测试装置，所述温度测试装置的测温端与第一凹槽底面接触。

作为上述方案的进一步改进，所述第二凹槽连接有压缩空气源。

作为上述方案的进一步改进，所述盖体与环状挡板一体成型。

作为上述方案的进一步改进，所述加热器为铠装加热器。

作为上述方案的进一步改进，所述第二气体通道为围绕坩埚的空心圆柱形气体通道，所述第三气体通道为环绕环状挡板的空心圆柱形气体通道。

作为上述方案的进一步改进，所述坩埚底面与第一凹槽底面之间留有一定空间。

本实用新型的有益效果是：