[实用新型]一种离子源的汽化器有效
申请号: | 202020653506.3 | 申请日: | 2020-04-26 |
公开(公告)号: | CN211879345U | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 田文娟 | 申请(专利权)人: | 山西大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 太原申立德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14115 | 代理人: | 程园园 |
地址: | 030006*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 离子源 汽化器 | ||
1.一种离子源的汽化器,其特征在于:包括有坩埚(1)、壳体(2)、电弧室(10),所述壳体(2)内部竖直向上设置有第一凹槽(4),所述坩埚(1)底部向下与第一凹槽(4)螺纹连接,所述坩埚(1)的顶部对应设置有盖体(5),所述盖体(5)内设置有第一气体通道(14),所述盖体(5)上设置有与所述第一气体通道(14)连通的排气孔(9),所述盖体(5)的边缘垂直向下设置有环状挡板(6),所述环状挡板(6)与坩埚(1)之间形成第二气体通道(7)、与壳体(2)之间行成第三气体通道(8),所述第一气体通道(14)与第二气体通道(7)连通,所述第二气体通道(7)与第三气体通道(8)连通,所述盖体(5)正上方设置有盖板(15),所述盖板(15)与壳体(2)的开口契合,所述盖板(15)与盖体(5)之间形成第四气体通道(16),所述第三气体通道(8)与第四气体通道(16)连通,所述盖板(15)上设置有气体喷嘴(3),所述气体喷嘴(3)与第四气体通道(16)连通,所述气体喷嘴(3)下端与壳体(2)螺纹连接,另一端与电弧室(10)连接,所述壳体(2)的侧面设置有加热器(11)。
2.根据权利要求1所述的一种离子源的汽化器,其特征在于:所述壳体(2)底部设置有开口向下的第二凹槽(12),所述第二凹槽(12)位于第一凹槽(4)的正下方。
3.根据权利要求2所述的一种离子源的汽化器,其特征在于:所述第二凹槽(12)内设置有温度测试装置(13),所述温度测试装置(13)的测温端与第一凹槽(4)的底面接触。
4.根据权利要求2或3所述的一种离子源的汽化器,其特征在于:所述第二凹槽(12)连接有压缩空气源。
5.根据权利要求1所述的一种离子源的汽化器,其特征在于:所述盖体(5)与环状挡板(6)一体成型。
6.根据权利要求1所述的一种离子源的汽化器,其特征在于:所述加热器(11)为铠装加热器。
7.根据权利要求1所述的一种离子源的汽化器,其特征在于:所述第二气体通道(7)为围绕坩埚(1)的空心圆柱形气体通道,所述第三气体通道(8)为围绕环状挡板(6)的空心圆柱形气体通道。
8.根据权利要求1所述的一种离子源的汽化器,其特征在于:所述坩埚(1)底面与第一凹槽(4)底面之间留有一定空间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造