[实用新型]存储器

摘要

本实用新型提供了一种存储器，衬底上形成多个遮蔽图案，至少部分遮蔽图案位于所述字线结构上且延伸至填充剩余深度的字线沟槽，所述遮蔽图案可以同时作为衬底上的遮蔽层和保护所述字线结构的栅绝缘层，相较于现有的存储器，本实用新型中的存储器可以省略去除衬底上的栅绝缘层、栅介质层以及在衬底上重新形成遮蔽层的步骤，制备工艺更加简单，提高了制备的效率，并且不会对存储器的性能产生影响；并且，第一气隙和第二气隙可以减小导电图案之间的寄生电容，提高存储器的性能。