[实用新型]CVD用耐高温卡塞有效
申请号: | 202020491566.X | 申请日: | 2020-04-07 |
公开(公告)号: | CN211719567U | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 曹如友;邹小芬;吴嘉文;黄昭遂;赵家富;陈志彬 | 申请(专利权)人: | 泉州三安半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362343 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型提出一种CVD用耐高温卡塞,所述卡塞包括左右对称的框架本体,所述框架本体的顶部开口,所述框架本体相对的两侧为设置有若干均匀分布的卡槽的侧壁,所述卡槽用于从顶部开口放置CVD作业后的晶片,所述卡塞的主体结构使用铝合金,在其表面喷涂一层保护层,可解决现有技术中卡塞不耐高温,易发生形变和晶片易刮伤的问题;同时在卡塞底部加装电木托手,可解决握手处温度较高的问题,可手持使用。 | ||
搜索关键词: | cvd 耐高温 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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