[实用新型]CVD用耐高温卡塞有效
申请号: | 202020491566.X | 申请日: | 2020-04-07 |
公开(公告)号: | CN211719567U | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 曹如友;邹小芬;吴嘉文;黄昭遂;赵家富;陈志彬 | 申请(专利权)人: | 泉州三安半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
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地址: | 362343 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cvd 耐高温 | ||
1.CVD用耐高温卡塞,所述卡塞包括左右对称的框架本体,所述框架本体的顶部开口,所述框架本体相对的两侧为设置有若干均匀分布的卡槽的侧壁,所述卡槽用于从顶部开口放置CVD作业后的晶片,所述卡塞的主体结构采用铝合金材料,其特征在于:所述卡塞的表面还包括一层保护层,所述保护层可保护晶片不被刮伤。
2.根据权利要求1所述的CVD用耐高温卡塞,其特征在于:所述保护层为聚四氟乙烯材质。
3.根据权利要求1所述的CVD用耐高温卡塞,其特征在于:所述保护层的厚度范围为0.06~0.08mm。
4.根据权利要求1所述的CVD用耐高温卡塞,其特征在于:所述卡塞底部还设置有电木托手,通过螺丝固定在卡塞的底部。
5.根据权利要求1所述的CVD用耐高温卡塞,其特征在于:所述卡塞侧壁的卡槽采用分段开孔,便于分散热量,同时减轻卡塞的重量,便于使用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造