[实用新型]可提高GaN器件可靠性的器件结构有效
| 申请号： | 202020474428.0 | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN211455693U | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 刘春利 | 申请（专利权）人： | 深圳镓华微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10 |
| 代理公司： | 深圳市鼎智专利代理事务所(普通合伙) 44411 | 代理人： | 唐玲玲 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种可提高GaN器件可靠性的器件结构，包括GaN器件核心，在所述GaN器件核心内形成二维电子气，在所述GaN器件核心的周围从上表面至少刻蚀到二维电子气所在层以下形成第一沟槽，所述第一沟槽构成环槽并将所述GaN器件核心包围，在所述第一沟槽内填充有金属。本实用新型可避免微观裂纹的扩张。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 gan 器件 可靠性 结构 | ||
【主权项】：
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