[实用新型]可提高GaN器件可靠性的器件结构有效
| 申请号： | 202020474428.0 | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN211455693U | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 刘春利 | 申请（专利权）人： | 深圳镓华微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10 |
| 代理公司： | 深圳市鼎智专利代理事务所(普通合伙) 44411 | 代理人： | 唐玲玲 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 gan 器件 可靠性 结构 | ||
1.一种可提高GaN器件可靠性的器件结构，其特征在于，包括GaN器件核心，在所述GaN器件核心内形成二维电子气，在所述GaN器件核心的周围从上表面至少刻蚀到二维电子气所在层以下形成第一沟槽，所述第一沟槽构成环槽并将所述GaN器件核心包围，在所述第一沟槽内填充有金属。
2.根据权利要求1所述的可提高GaN器件可靠性的器件结构，其特征在于，所述GaN器件核心具有低压部，所述低压部通过金属层与所述第一沟槽内的金属电性连接。
3.根据权利要求2所述的可提高GaN器件可靠性的器件结构，其特征在于，在所述低压部与所述第一沟槽之间刻蚀形成有第二沟槽，在所述第二沟槽内填充金属得到所述金属层。
4.根据权利要求3所述的可提高GaN器件可靠性的器件结构，其特征在于，所述第一沟槽内的金属和/或所述第二沟槽内的金属表面覆盖有钝化层。
5.根据权利要求4所述的可提高GaN器件可靠性的器件结构，其特征在于，所述钝化层为SiNx或亚胺。
6.根据权利要求2所述的可提高GaN器件可靠性的器件结构，所述低压部为源极金属或栅极金属。
7.根据权利要求1-4任一项所述的可提高GaN器件可靠性的器件结构，其特征在于，所述第一沟槽内所填充的金属的上表面与GaN器件的上表面基本齐平。
8.根据权利要求7所述的可提高GaN器件可靠性的器件结构，其特征在于，在所述第一沟槽内逐层沉积金属使得所述第一沟槽填充金属。
9.根据权利要求1-4任一项所述的可提高GaN器件可靠性的器件结构，其特征在于，在所述GaN器件核心的周围从上表面刻蚀到衬底形成第一沟槽。
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