[实用新型]可提高GaN器件可靠性的器件结构

说明书

本实用新型提供一种可提高GaN器件可靠性的器件结构，包括GaN器件核心，在所述GaN器件核心内形成二维电子气，在所述GaN器件核心的周围从上表面至少刻蚀到二维电子气所在层以下形成第一沟槽，所述第一沟槽构成环槽并将所述GaN器件核心包围，在所述第一沟槽内填充有金属。本实用新型可避免微观裂纹的扩张。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种可提高GaN器件可靠性的器件结构。

背景技术

由于GaN具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性，因此，GaN器件已广泛应用于电力电子、微波通信等领域。由于GaN薄膜很脆，在划片过程中，容易产生崩边，崩边会产生微观裂纹，GaN器件在后续使用过程中，经过各种物理压力使得裂纹扩张并延伸到GaN器件核心，从而使得GaN器件失效。

实用新型内容

鉴于此，为了在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一，有必要提供一种可提高GaN器件可靠性的器件结构，可避免微观裂纹的扩张。

本实用新型提供一种可提高GaN器件可靠性的器件结构，包括GaN器件核心，在所述GaN器件核心内形成二维电子气，在所述GaN器件核心的周围从上表面至少刻蚀到二维电子气所在层以下形成第一沟槽，所述第一沟槽构成环槽并将所述GaN器件核心包围，在所述第一沟槽内填充有金属。

进一步的，所述GaN器件核心具有低压部，所述低压部通过金属层与所述第一沟槽内的金属电性连接。

进一步的，在所述低压部与所述第一沟槽之间刻蚀形成有第二沟槽，在所述第二沟槽内填充金属得到所述金属层。

进一步的，所述第一沟槽内的金属和/或所述第二沟槽内的金属表面覆盖有钝化层。

进一步的，所述钝化层为SiNx或亚胺。

进一步的，所述低压部为源极金属或栅极金属。

进一步的，所述第一沟槽内所填充的金属的上表面与GaN器件的上表面基本齐平。

进一步的，在所述第一沟槽内逐层沉积金属使得所述第一沟槽填充金属。

进一步的，在所述GaN器件核心的周围从上表面刻蚀到衬底形成第一沟槽。

通过以上方案可知，本实用新型在GaN器件核心的周围从上表面至少刻蚀到二维电子气所在层以下形成第一沟槽，在第一沟槽中填充金属，在第一沟槽构成的环槽外围进行划片，在划片的过程中，微观裂纹被第一沟槽内的金属阻隔，从而避免后续器件使用过程中裂纹扩张到GaN器件核心，保证二维电子气的稳定。

附图说明

图1为本实用新型具体实施方式的GaN器件的结构示意图。

图2为本实用新型具体实施方式的GaN器件的俯视图。

图3为刻蚀并填充金属后的结构示意图。

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本实用新型。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得所有其他实施例，都属于本实用新型的保护范围。可以理解的是，附图仅仅提供参考与说明用，并非用来对本实用新型加以限制。附图中显示的连接关系仅仅是为了便于清晰描述，并不限定连接方式。