[实用新型]半导体器件结构有效
| 申请号： | 202020412036.1 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN211788995U | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 方绍明;李照华;戴文芳 | 申请（专利权）人： | 深圳市明微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体器件结构，所述半导体器件结构包括半导体基板以及设置在所述半导体基板上的双钝化层，其中，所述半导体基板包括一基底以及设置在所述基板上的金属阵列；所述双钝化层包括设置在所述金属阵列之间，所述双钝化层包括依次设置在所述半导体基板上的第一钝化层和第二钝化层，且未设置双钝化层结构的区域形成压焊窗口。所提供的半导体器件的双钝化层结构的钝化保护效果优异，使所述半导体器件的双钝化层结构的适用性更广泛，使用更灵活。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
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