[发明专利]硅衬底上生长氮极性Ⅲ族氮化物半导体薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202011645368.5 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112735943B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 李成果;尹雪兵;曾巧玉;葛晓明;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 李彬彬;陈莉娥 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种硅衬底上生长氮极性III族氮化物半导体薄膜的制备方法，其包括以下步骤，步骤S1：在硅衬底上制备硅的共晶合金层；步骤S2：在硅的共晶合金层的表面生长氮极性的氮化铝层。该共晶合金层使得生长在其之上的III族氮化物薄膜优先按氮极性原子结构排布，从而控制薄膜生长的氮极性，实现在硅衬底上原位生长氮极性III族氮化物半导体薄膜及氮极性高电子迁移率晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 生长 极性 氮化物 半导体 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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