[发明专利]上下料控制方法、存储介质、等离子清洗设备有效
| 申请号： | 202011645192.3 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112750736B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 贺岳;邱显新;孙飞翔;钟军勇;谢一心;苏金土;孔令民;张凯 | 申请（专利权）人： | 深圳泰德半导体装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/02;B08B7/00 |
| 代理公司： | 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 | 代理人： | 苗广冬 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区龙田街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种上下料控制方法、存储介质、等离子清洗设备，包括：接收到上料指令时，获取待上料的目标框架的框架类型；获取框架类型对应的运动参数，运动参数包括上料装置对应的第一子运动参数以及传送装置对应的第二子运动参数；控制上料装置按照第一子运动参数运行，以将目标框架从目标推料点推动到传送装置上；控制传送装置按照第二子运动参数运行，以将目标框架传送至治具上。本发明实现对上料装置以及传送装置的自动调整，无需操作人员在每次框架的类型发生变动后搬运输入运动参数，能够避免人为失误，提高了等离子清洗设备清洗芯片的准确性，并能够提高等离子清洗设备的工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 上下 控制 方法 存储 介质 等离子 清洗 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
