[发明专利]降低氮化镓器件台面隔离漏电流的方法有效
| 申请号： | 202011642789.2 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112802748B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 康玄武;赵志波;郑英奎;魏珂;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王毅 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本公开提供了一种降低氮化镓器件台面隔离漏电流的方法，包括：制备氮化镓器件，自下而上顺次包括衬底、外延结构层和电极层；采用ICP刻蚀氮化镓器件的外延结构层，形成台面结构；在快速退火炉中进行退火处理，修复刻蚀损伤；退火处理时，选用气体为O |
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| 搜索关键词： | 降低 氮化 器件 台面 隔离 漏电 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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