[发明专利]一种氮化镓基HEMT射频器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202011635494.2 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112736127B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 刘胜厚;孙希国;蔡仙清;张辉 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基HEMT射频器件及其制作方法，所述器件包含从下至上层叠设置的半导体衬底、沟道层、势垒层；还包括相对设置在势垒层上方有源区处的源极和漏极，以及栅极，于有源区处的源极与漏极之间栅极区域处的势垒层设置台阶状凹槽，所述栅极设置在势垒层台阶状凹槽上，所述栅极的高度大于势垒层的上表面，源极、漏极、栅极之间设置有介质层，该台阶面沿着栅宽方向台阶面高度依次下降或上升，不同的台阶面的高度不同。本发明器件的通过半导体制造工艺，形成不同高度的栅极构成不同区域栅极，不同区域栅极具有不同关断电压，从而实现跨导gm呈现平整形貌，提高氮化镓基HEMT射频器件的线性度，控制关断电压，提高射频器件线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 hemt 射频 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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