[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202011618520.0 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112635668B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 郭奥 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种阻变存储器及其制备方法，该方法包括在CMOS后段工艺的第一金属层表面淀积第一介质层以及在第一介质层中制备阻变存储器单元的下电极；在第一介质层中依次淀积氧化物阻变层、dummy介质层和dummy金属层并图形化；在阻变存储器单元结构的表面、下电极层和第一介质层表面淀积阻挡层；沉积CMOS后段工艺的第二介质层；通过第二介质层中的接触孔及第二金属层，引出阻变存储器单元的上电极，下电极通过第一金属层引出。因此，本发明限制阻变层中氧空位导电通道的形成区域，以提升器件一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011618520.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
