[发明专利]提高半导体部件与中心电极配合度的半导体釉层烧结方法有效
| 申请号： | 202011610367.7 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112615261B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 范博全;牟孙攀;任洋 | 申请（专利权）人： | 四川泛华航空仪表电器有限公司 |
| 主分类号： | H01T21/02 | 分类号： | H01T21/02;H01T1/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610500 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及烧结技术领域，具体公开了提高半导体部件与中心电极配合度的半导体釉层烧结方法，用于在瓷管上烧结半导体釉层，其特征在于：先按中心电极形状尺寸制作中心电极蜡模，然后将瓷管与中心电极蜡模适配，在中心电极外锥面与瓷管内锥面的相互接触的空隙部位注入事先配置好的半导体釉质，待半导体釉质自然冷却后，入炉进行加热烧结。所述半导体釉层烧结方法烧结的半导体釉层可以提高半导体部件与中心电极的配合度，从而规避因中心电极与半导体部件配合度不良好造成中心电极与半导体部件间的绝缘电阻增大，提高电嘴的发火性能。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 半导体 部件 中心 电极 配合 烧结 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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