[发明专利]提高半导体部件与中心电极配合度的半导体釉层烧结方法

说明书

本发明涉及烧结技术领域，具体公开了提高半导体部件与中心电极配合度的半导体釉层烧结方法，用于在瓷管上烧结半导体釉层，其特征在于：先按中心电极形状尺寸制作中心电极蜡模，然后将瓷管与中心电极蜡模适配，在中心电极外锥面与瓷管内锥面的相互接触的空隙部位注入事先配置好的半导体釉质，待半导体釉质自然冷却后，入炉进行加热烧结。所述半导体釉层烧结方法烧结的半导体釉层可以提高半导体部件与中心电极的配合度，从而规避因中心电极与半导体部件配合度不良好造成中心电极与半导体部件间的绝缘电阻增大，提高电嘴的发火性能。

技术领域

本发明涉及烧结技术领域，具体地说，是提高半导体部件与中心电极配合度的半导体釉层烧结方法。

背景技术

航空发动机点火系统是依靠从点火装置中发出的高能脉动电压，通过点火电缆传输至点火电嘴的中心电极，由点火电嘴中心电极通过半导体部件向侧电极放电，击穿周围空气，产生高能电火花，点燃发动机里的油气混合物，从而启动航空发动机。

中心电极与半导体部件的配合度，是影响电嘴放电性能的一个重要因素，在中心电极与半导体部件配合度良好的情况下，中心电极与侧电极之间的绝缘电阻符合设计规定，可以在设计给定的发火电压下，实现在电嘴发火端从中心电极向侧电极的有效放电发火。

工厂现有的半导体部件加工方法，是在瓷管的锥面部位与发火端面烧结半导体釉层，烧结方法是手工在需烧结釉层的部位，浸润蘸取事先配制好的半导体釉“流体物质”，待釉质自然冷却后，入炉进行高温烧结，将釉层烧结在瓷管上形成半导体部件。烧结过程中，釉层在未固化之前，容易流动，形成不规则的釉瘤，导致釉层不均匀，且烧制完成的半导体釉层硬度高而脆，难易通过打磨的方式消除，从而导致半导体部件和中心电极配合不紧密。当中心电极与半导体部件之间的配合不紧密时，在半导体部件与中心电极接触部位存在一些微小的“间隙”，这些“间隙”的存在会增大从中心电极到侧电极间的绝缘电阻，绝缘电阻增大的结果则是需要更大的击穿电压，导致从点火装置中发出的给定电压的脉冲电传输至点火电嘴放电端的时候，不能有效发火。

发明内容

本发明提供了一种不同于现有技术的半导体釉层烧结方法，大大提高提高半导体部件与中心电极配合度。

本发明通过下述技术方案实现：

提高半导体部件与中心电极配合度的半导体釉层烧结方法，先按中心电极形状尺寸制作中心电极蜡模，然后将瓷管与中心电极蜡模适配，在中心电极外锥面与瓷管内锥面之间的空隙部位注入事先配置好的半导体釉质，待半导体釉质自然冷却后，入炉进行加热烧结。

通过所述半导体釉层烧结方法，在瓷管上烧结半导体釉层形成半导体部件，通过保证半导体釉层烧结质量提高半导体部件与中心电极配合度。

进一步地，为了更好地实现本发明，事先配置好的半导体釉质由钾长石、石英、高岭土、碳酸镁、碳酸钙组成。

进一步地，为了更好地实现本发明，按质量比称取38-40份钾长石、42-44份石英、7-8份高岭土、3-4份碳酸镁、5-7份碳酸钙，球磨、过筛、烘干、清洗后装入干净瓶内或封口塑料袋中，得到配置好的半导体釉质。

进一步地，为了更好地实现本发明，待半导体釉质自然冷却后放在高铝瓷砖上，并按照每15min一块高铝瓷砖的速度将放置瓷管的高铝瓷砖送入高温炉进行烧结。

进一步地，为了更好地实现本发明，烧结过程中，高温炉的前段温度控制在950-1000℃、中段温度控制在1200-1240℃、后段温度控制在850-950℃。

本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

（1）本发明提供的提高半导体部件与中心电极配合度的半导体釉层烧结方法，烧结的半导体釉层可以提高半导体部件与中心电极的配合度，从而规避因中心电极与半导体部件配合度不良好造成中心电极与半导体部件间的绝缘电阻增大，提高电嘴的发火性能；