[发明专利]背栅晶体管及其制备方法在审
申请号: | 202011606191.8 | 申请日: | 2020-12-28 |
公开(公告)号: | CN112701156A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 卢红亮;陈金鑫 | 申请(专利权)人: | 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/45;H01L29/772;H01L21/335 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: |
本发明提供了一种背栅晶体管,包括:一周期性孔洞基底,所述周期性孔洞基底由一硅衬底以及所述硅衬底表面的介电层组成,所述介电层表面具有周期性孔洞阵列;一源极,所述源极位于所述周期性孔洞基底上;一漏极,所述漏极位于所述周期性孔洞基底上,且与所述源极分立于一孔洞两侧;一栅极,所述栅极为悬空的β‑Ga |
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搜索关键词: | 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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