[发明专利]数字合金、数字合金中波红外探测器有效
| 申请号： | 202011597283.4 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112713209B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 陈意桥;张国祯;陈超;周浩 | 申请（专利权）人： | 苏州焜原光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/109;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 于宏伟 |
| 地址： | 215211 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是针对现有势垒型器件在吸收层和势垒层存在一个较高的价带带阶，使得空穴在运动过程中受到价带势垒的阻碍，使量子效率降低的不足，提供一种数字合金AlAsSb材料及数字合金中波红外探测器，此数字合金在一层厚度为d1的AlSb材料上，生长一层厚度为d2的AlAsxSb1‑x材料，形成厚度为d1+d2的AlAsySb1‑y基本单元，d1+d2作为一个周期，重复生长n个周期，形成数字合金DA‑AlAsySb1‑y，其中，y为数字合金中整体平均As组分，x为基本单元的一层中的As的组分，采用本发明提供的数字合金、数字合金中波红外探测器使空穴移动更加通畅，可以有效提高探测器的量子效率，并且对器件的暗电流没有影响，使其更容易适应于不同的吸收层。 | ||
| 搜索关键词： | 数字 合金 中波 红外探测器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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