[发明专利]数字合金、数字合金中波红外探测器

权利要求书

1.一种数字合金，其特征在于，在一层厚度为d1的AlSb材料上，生长一层厚度为d2的AlAs_xSb_1-x材料，形成厚度为d1+d2的AlAs_ySb_1-y基本单元，d1+d2作为一个周期，重复生长n个周期，形成数字合金DA-AlAs_ySb_1-y，其中，y为数字合金中整体平均As组分，x为基本单元的一层中的As的组分；数字合金中整体平均As组分y和基本单元的一层中的As组分x之间的关系式如下：

0＜d1≤15nm，0＜d2≤15nm，用于中波红外探测器的势垒层。

2.如权利要求1所述的数字合金，其特征在于，DA-AlAsSb进行p型掺杂，掺杂剂为Be，p型浓度范围：1E+15-5E+18/cm³。

3.如权利要求1所述的数字合金，其特征在于，对DA-AlAsSb进行n型掺杂，掺杂剂为Si或Te，n型浓度范围：1E+15-5E+18/cm³。

4.一种中波红外探测器器件，所述中波红外探测器器件为XBN型器件或NBN型器件，分别包括衬底层、缓冲层、电极一、吸收层、势垒层、电极二，其特征在于，所述的势垒层采用权利要求1-3各项之一所述的数字合金。

5.如权利要求4所述的一种中波红外探测器器件，其特征在于，所述器件为XBN型器件，所述电极一为n型电极/p型电极，电极二为p型电极/n型电极，所述n型电极采用n型重掺杂的blk-InAsSb层、n型重掺杂的DA-InAsSb层、n型重掺杂的DA-InAlAsSb层之一，所述吸收层的材料为blk-InAsSb层、DA-InAsSb层、DA-InAlAsSb层之一，p型电极层为p型重掺杂材料层，当器件中具有InAsSb体材料时，InAsSb的Sb组分为0.09±0.01；或所述器件为NBN型器件，所述电极一和电极二分别为n型电极。

6.如权利要求5所述的一种中波红外探测器器件，其特征在于，n型电极与吸收层的材料体一致，p型电极层材料与吸收层材料相适配。

7.如权利要求4-6各项之一所述的一种中波红外探测器器件，其特征在于，n型电极厚度为50-1000nm，吸收层厚度为500-10000nm，势垒层厚度为50-300nm，p型电极厚度为50-1000nm，p型电极层为Be:GaSb或Be:blk-InAsSb，Be:DA-InAlAsSb，Be:DA-InAsSb三者之一，当p型电极采用Be:blk-InAsSb、Be:DA-InAlAsSb、Be:DA-InAsSb三者之一时，p型电极层与吸收层材料一致；当器件中具有InAsSb体材料时，InAsSb的Sb组分为0.09±0.01。

8.如权利要求7所述的一种中波红外探测器器件，其特征在于，吸收层厚度为500-5000nm。

9.如权利要求4所述的一种中波红外探测器器件，其特征在于，

n型电极为厚度50-1000nm的n型重掺杂blk-InAsSb层，n型掺杂剂浓度5E+17-1E+19/cm³，

吸收层为厚度500-10000nm的非掺杂或轻掺杂blk-InAsSb，

势垒层采用如下数字合金，生长一层厚度为3.6nm的AlSb材料，再生长一层厚度为6.1nm的AlAs_0.13Sb_0.87材料，形成厚度为9.7nm的基本单元，将该基本单元作为一个周期，重复生长n个周期，即可得到DA-AlAsSb势垒层，势垒层厚度为50-300nm，

p型电极为厚度500-1000nm的p型重掺杂材料，p型掺杂剂浓度5E+17-1E+19/cm³，p型电极层为Be:GaSb、Be:blk-InAsSb之一，

blk-InAsSb的Sb组分为0.09±0.01。