[发明专利]一种超声换能器阵列封装结构和制作方法在审
| 申请号： | 202011593276.7 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114682468A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 鲁瑶;于大全;万里兮 | 申请（专利权）人： | 北京万应科技有限公司;厦门云天半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B06B1/02 | 分类号： | B06B1/02 |
| 代理公司： | 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 | 代理人： | 陈悦军;张伟杰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超声换能器阵列封装结构及其制作方法，超声换能器阵列封装结构包括基体、金属化框架、以及位于金属化框架内的超声换能器阵列，基体设置在金属化框架的上方；金属化框架、超声换能器阵列、以及基体通过低温键合技术形成互联；基体包括焊点、钝化层、以及嵌入钝化层内的金属互连层，焊点在基体相对于金属化框架方向的另一侧；金属化框架与超声换能器阵列之间的空隙及表面，填充和覆盖有声学匹配层。本发明利用了半导体工艺分别制作了基体和金属化框架，并利用半导体封装工艺中的低温键合技术对超声换能器阵列进行了封装，避免了超声换能器阵列经受高温半导体制程和高温键合过程而导致的失效问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超声 换能器 阵列 封装 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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