[发明专利]一种超声换能器阵列封装结构和制作方法

权利要求书

1.一种超声换能器阵列封装结构，其特征在于，包括基体(11)、金属化框架(6)、以及位于所述金属化框架(6)内的超声换能器阵列(12)，所述基体(11)设置在所述金属化框架(6)的上方；

所述金属化框架(6)、所述超声换能器阵列(12)、以及所述基体(11)通过低温键合技术形成互联，所述低温键合的键合温度低于超声换能器阵列(12)居里温度的一半；

所述基体(11)包括焊点(1)、钝化层(3)、以及嵌入所述钝化层(3)内的金属互连层(2)，所述焊点(1)在基体(11)相对于金属化框架(6)方向的另一侧；

所述金属化框架(6)与所述超声换能器阵列(12)之间的空隙及表面，填充和覆盖有声学匹配层(9)。

2.根据权利要求1所述的超声换能器阵列封装结构，其特征在于，所述低温键合技术为：通过各向异性导电胶实现的低温键合。

3.根据权利要求1所述的超声换能器阵列封装结构，其特征在于，所述低温键合技术为：通过金属间低温键合技术实现的低温键合。

4.根据权利要求1所述的超声换能器阵列封装结构，所述基体(11)和/或所述金属化框架(6)的表面还设有凸点(5)。

5.根据权利要求4所述的超声换能器阵列封装结构，其特征在于，所述凸点(5)为金属凸点或导电有机物凸点。

6.根据权利要求1所述的超声换能器阵列封装结构，其特征在于，所述超声换能器阵列(12)包括周期性设置的超声换能器阵元(7)和填充于所述超声换能器阵元(7)之间空隙的有机填充物(8)，所述焊点(1)与所述有机填充物(8)在竖直方向上对准。

7.根据权利要求6所述的超声换能器阵列封装结构，其特征在于，所述有机填充物(8)的填充高度小于等于所述超声换能器阵元(7)的高度。

8.根据权利要求1所述的超声换能器阵列封装结构，其特征在于，所述超声换能器阵列(12)的上表面和下表面分别设有金属层(10)，所述超声换能器阵列(12)上表面的所述金属层(10)为所述超声换能器阵列(12)的正极，所述超声换能器阵列(12)下表面的所述金属层(10)为所述超声换能器阵列(12)的负极，所述超声换能器阵列(12)的正极与所述基体(11)上的金属互连层(2)形成正极连接，所述超声换能器阵列(12)的负极通过金属化框架(6)与所述基体(11)上的金属互连层(2)形成负极连接。

9.根据权利要求1-8任一项所述的超声换能器阵列封装结构，其特征在于，所述基体(11)包括一层或多层所述钝化层(3)，所述基体(11)包括一层或多层所述金属互连层(2)。

10.根据权利要求1-8任一项所述的超声换能器阵列封装结构，其特征在于，所述钝化层(3)的材料为可光刻材料。

11.根据权利要求1-8任一项所述的超声换能器阵列封装结构，其特征在于，所述金属化框架(6)的基材为有机材料基材和/或无机材料基材。