[发明专利]一种宇航级集成电路总剂量屏蔽方法及抗辐照加固效果验证方法在审
| 申请号： | 202011587197.5 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112967938A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 赵鹤然;孔明;邢泽全;刘庆川;杜海军;张妍垚 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/60;H01L23/06 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 于晓波 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种宇航级集成电路总剂量屏蔽方法及抗辐照加固效果验证方法，属于集成电路技术领域。该方法包括以下步骤：(1)组装工艺设计，针对加固设计中最核心的耐受温度，开展芯片选型和粘片、键合、密封工艺设计；(2)外壳设计，从外形尺寸和外壳结构等方面开展总剂量屏蔽设计；(3)试验验证，对屏蔽加固后的电路进行可靠性试验和抗辐照试验，必要时重新优化外壳设计方案。本发明提出的集成电路总剂量屏蔽方法和抗辐照加固效果验证方法，通过这种方法可以优化屏蔽效果，达到宇航级器件的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宇航 集成电路 剂量 屏蔽 方法 辐照 加固 效果 验证 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十七研究所，未经中国电子科技集团公司第四十七研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011587197.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
