[发明专利]应变锗沟道晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202011584695.4 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112701044B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 何力;骆军委 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 鄢功军 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种应变锗沟道晶体管及其制备方法，其中，该应变锗沟道晶体管的制备方法包括：提供一锗衬底，在锗衬底上沉积牺牲层，并选择性刻蚀掉部分牺牲层；在刻蚀掉部分牺牲层后的锗衬底区域进行惰性气体原子掺杂并进行热退火处理；在惰性原子掺杂及退火的锗衬底区域再次进行p型掺杂形成锗PMOS器件源区和漏区；刻蚀掉剩余的牺牲层并沉积隔离层，选择性刻蚀隔离层，形成锗PMOS器件源区和漏区间的栅极区域；对栅极区域进行氧化，在隔离层和栅极区域表面沉积介质层并选择性刻蚀，以露出源区和漏区；制作锗PMOS器件的栅电极、源电极、漏电极和背电极。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 沟道 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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