[发明专利]新型SiC MOSFET功率器件在审
| 申请号： | 202011552653.2 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112531017A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 张景超;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 张励 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种新型SiC MOSFET功率器件，包括：衬底；漏极金属层，漏极金属层设置于衬底下；漂移区，漂移区设置于衬底上；源区，源区设置于漂移区上；阱区，阱区设置于源区上；沟道区，沟道区设置于源区上；沟槽，沟槽平行于沟道区中沟道电流方向设置，并且沟槽穿过沟道区并到达阱区；栅极金属层，栅极金属层设置于沟槽上；源极金属层，源极金属层设置于栅极栅极金属层上。本发明能够增加沟槽侧壁的沟道宽度，并且由于碳化硅不同面具有不同的电子迁移率，因此可以选择相对高电子迁移率的侧面，从而能够保证沟槽侧壁的反型层电子迁移率高于器件表面的反型层电子迁移率，以有效降低器件的沟道电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 sic mosfet 功率 器件 | ||
【主权项】：
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