[发明专利]沟槽栅功率器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽栅功率器件，栅极沟槽由顶部沟槽和底部沟槽叠加而成且顶部沟槽的宽度大于底部沟槽的宽度；在底部沟槽中形成有沟槽栅；在外延层中形成有沟道区和源区；源区位于沟道区的表面；栅极导电材料层穿过沟道区；在栅极导电材料层顶部的顶部沟槽中填充有顶部介质层；源区通过第一接触孔连接到源极；第一接触孔穿过源区和沟道区相接触；第一接触孔由相邻的两个所述器件单元共用，且第一接触孔的底部宽度由相邻的两个栅极沟槽中的所述顶部介质层的间距自对准定义。本发明还公开了一种沟槽栅功率器件的制造方法。本发明能自对准定义源接触孔，从而有利于源接触孔的尺寸的缩小且能将源接触孔的尺寸缩小到小于光刻工艺所要求的最小尺寸。