[发明专利]一种融合忆阻器的CMOS感存算一体电路结构有效
| 申请号： | 202011528529.2 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112700810B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 胡绍刚;张宗镒;周桐;于奇;刘洋 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14;G11C16/34;G06T1/60;H04N25/76 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于图像传感技术与集成电路技术领域，具体涉及一种融合忆阻器的CMOS感存算一体电路结构。本发明主要包括CMOS有源像素单元模块、忆阻器存储模块、编写/擦除电路模块、求和运算电路模块、行驱动和列驱动电路模块。所述一种融合忆阻器的CMOS感存算一体电路结构用于实现在单片上集成传感电路与存算一体电路，并对传感电路采集的数据进行处理和运算，该方案可用于图像识别、图像处理等领域。相比于传统的存内计算电路，该融合忆阻器的CMOS感存算一体电路结构利用CMOS有源像素结构实现传感，并融合忆阻器作为存储与计算的单元，将传感与存内计算融为一体，能够极大地提高电路对传感数据的运算速度，且集成度高、结构简单、功耗低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 融合 忆阻器 cmos 感存算 一体 电路 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011528529.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种紧压茶自动干燥装置
- 下一篇：一种新型彩超探头消毒装置
