[发明专利]一种3D 封装叠层芯片互连用Cu3Sn泡沫铜复合接头快速制备方法在审
| 申请号： | 202011504681.7 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112490133A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 孙凤莲;李文鹏 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
本发明通过将泡沫铜作为骨架，锡合金作为填充材料，通过外加超声的作用，利用超声震动摩擦和超声空化效应产生热量，快速获得由原位生成的Cu |
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| 搜索关键词： | 一种 封装 芯片 互连 cu3sn 泡沫 复合 接头 快速 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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