[发明专利]ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202011502702.1 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112531085A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 闫晓密 | 申请（专利权）人： | 普瑞（无锡）研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江苏漫修律师事务所 32291 | 代理人： | 熊启奎;周晓东 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构及其制作方法，其中，ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构包括：在芯片衬底上生长LED芯片外延结构，在LED芯片外延结构上制作透明导电层，透明导电层包括利用电子束蒸发技术镀的ITO膜，以及利用电子束蒸发技术镀的铝原子层和利用ALD技术沉积的氧化铝膜形成的以铝原子为核，氧化铝为壳的核壳结构膜。本发明在ITO薄膜的基础上，先沉积一层铝原子层，再用ALD技术沉积氧化铝，形成以铝原子为核，氧化铝为壳的核壳结构膜，氧化铝层可以减少对光的吸收，而且可以改善ITO薄膜的电流扩散，增加芯片的出光角度，提高芯片的光电性能，达到提升亮度、降低电压的效果。 | ||
| 搜索关键词： | ald 沉积 电流 扩展 led 芯片 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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