[发明专利]ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202011502702.1 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112531085A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 闫晓密 | 申请（专利权）人： | 普瑞（无锡）研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江苏漫修律师事务所 32291 | 代理人： | 熊启奎;周晓东 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ald 沉积 电流 扩展 led 芯片 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构，其特征在于：在芯片衬底（1）上生长LED芯片外延结构，在LED芯片外延结构上制作透明导电层，透明导电层包括利用电子束蒸发技术镀的ITO膜（7），以及利用电子束蒸发技术镀的铝原子层（8）和利用ALD技术沉积的氧化铝膜（9）形成的以铝原子为核，氧化铝为壳的核壳结构膜。
2.根据权利要求1所述的ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构，其特征在于：以铝原子为核，氧化铝为壳的核壳结构膜的厚度为5 Å～50 Å。
3.根据权利要求1所述的ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构，其特征在于：LED芯片外延结构是依次生长的缓冲层（2）、U-GaN层（3）、N-GaN层（4）、多量子阱层（5）和P-GaN层（6），或者是依次生长的N-GaN层（4）、多量子阱层（5）和P-GaN层（6）。
4.根据权利要求1所述的ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构，其特征在于：通过ICP刻蚀技术将暴漏区域的N-GaN层（4）刻蚀出来，形成N-GaN台阶。
5.根据权利要求1所述的ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构，其特征在于：通过电子束蒸发技术制作N、P焊盘电极（10）。
6.一种ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构制作方法，其特征在于：包括以下步骤：提供芯片衬底（1），在芯片衬底（1）上生长LED芯片外延结构；在LED芯片外延结构上制作透明导电层，首先利用电子束蒸发技术镀ITO膜（7），再利用电子束蒸发技术镀铝原子层（8），然后利用ALD技术沉积氧化铝膜（9），形成以铝原子为核，氧化铝为壳的核壳结构膜。
7.根据权利要求6所述的ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构制作方法，其特征在于：还包括在制作透明导电层之前，将生长完成的LED芯片外延结构清洗干净，通过ICP刻蚀技术将暴漏区域的N-GaN层（4）刻蚀出来，形成N-GaN台阶。
8.根据权利要求6所述的ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构制作方法，其特征在于：还包括在制作透明导电层之后，通过电子束蒸发技术制作N、P焊盘电极（10）。
9.根据权利要求6所述的ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构制作方法，其特征在于：进一步包括，利用MOCVD设备在芯片衬底（1）上生长LED芯片外延结构。
10.根据权利要求6所述的ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构制作方法，其特征在于：进一步包括，以铝原子为核，氧化铝为壳的核壳结构膜的厚度为5 Å～50 Å。
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