[发明专利]一种N型HIBC太阳电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种N型HIBC太阳电池的制备方法，属于太阳电池制备领域，包括：在单晶硅片正面依次形成第一非晶硅钝化层和减反射膜层；在所述单晶硅片的背面采用可分离的硬质掩膜版进行紧贴覆盖，硬质掩膜版采用间隔排列覆盖，在未被硬质掩膜版覆盖的区域形成凸起层；对单晶硅片的背面上硬质掩膜版的覆盖区域进行刻蚀清洗，去除该区域内的晶硅基底，形成凹槽；在凸起层上印刷油墨掩膜材料，以形成油墨保护层；在单晶硅片的背面所有区域均依次形成三种膜；单晶硅片的背面进行清洗，剥离油墨保护层；印刷电极。本发明的优点在于简化制备工艺，非常有利于大规模生产。