[发明专利]一种N型HIBC太阳电池的制备方法

权利要求书

1.一种N型HIBC太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：选取一N型单晶硅片(1)，将所述单晶硅片(1)的背面处理为抛光面，单晶硅片(1)的正面处理为绒面；

S2：在所述单晶硅片(1)的正面先后形成第一非晶硅钝化层(3)和减反射膜层(2)；

S3：在所述单晶硅片(1)的背面采用可分离的硬质掩膜版进行紧贴覆盖，硬质掩膜版采用间隔排列覆盖，在未被硬质掩膜版覆盖的区域形成凸起层，该凸起层依次包括第二本征非晶硅钝化层(4)、P型非晶硅层(5)、第一透明导电薄膜TCO层(6)；

S4：对S3中的单晶硅片(1)的背面上，对硬质掩膜版的覆盖区域进行刻蚀清洗，去除该区域内的晶硅基底，形成凹槽；

S5：对S4中的第一透明导电薄膜TCO层(6)上印刷油墨掩膜材料，以形成油墨保护层(7)；

S6：对S5步骤中，单晶硅片(1)的背面所有区域均依次形成第三本征非晶硅钝化层(8)、N型非晶硅层(9)、第二透明导电薄膜TCO层(10)；

S7：对S6步骤中，单晶硅片(1)的背面进行清洗，剥离所述油墨保护层(7)；

S8：在所述P型非晶硅层和第一透明导电薄膜TCO层(6)叠层上印刷金属电极，并低温固化；在N型非晶硅层(9)和第二透明导电薄膜TCO层(10)叠层上，刷金属电极，并低温固化。

2.如权利要求1所述的一种N型HIBC太阳电池的制备方法，其特征在于，所述硬质掩膜版集成在设备上，在S3中形成所述凸起层时，利用设备靠近单晶硅体(1)以将所述硬质掩膜版紧贴至单晶硅体(1)上，在S4中需要刻蚀清洗时，将硬质掩膜版从单晶硅体(1)上分离。

3.如权利要求1所述的一种N型HIBC太阳电池的制备方法，其特征在于，所述硬质掩膜版为石英版或者石墨版。

4.如权利要求1所述的一种N型HIBC太阳电池的制备方法，其特征在于，S4中，去除的晶硅基底的厚度为5—10um。

5.如权利要求1所述的一种N型HIBC太阳电池的制备方法，其特征在于，S5中所述油墨保护层为碱性，S7中清洗采用碱性溶液。

6.如权利要求1所述的一种N型HIBC太阳电池的制备方法，其特征在于，所述S1中，单晶硅片(1)的正面采用掩膜法或链式刻蚀法制备成金字塔绒面。

7.如权利要求1所述的一种N型HIBC太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一非晶硅钝化层(3)厚度为1-10nm，为通过PECVD法或热丝CVD形成的本征非晶硅层，或者是本征非晶硅层和N型非晶硅层的组合层，或者是本征非晶硅层和P型非晶硅层的组合层。

8.如权利要求1所述的一种N型HIBC太阳电池的制备方法，其特征在于，所述正面减反射膜层(2)由PECVD方法沉积形成，为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅的一种或多种混合叠层，厚度为60-150nm。

9.如权利要求1所述的一种N型HIBC太阳电池的制备方法，其特征在于，所述的第二本征非晶硅钝化层(4)、P型非晶硅层(5)是用PECVD或热丝CVD方法沉积而成，厚度分别为1-20nm、1-20nm；和/或，所述第三本征非晶硅钝化层(8)、N型非晶硅层(9)是用PECVD或热丝CVD方法沉积而成，厚度分别为1-20nm、1-20nm。

10.如权利要求1所述的一种N型HIBC太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一透明导电薄膜TCO层(6)是通过PVD或RPD方法制备，第一透明导电薄膜TCO层(6)由ITO、IWO、IMO、AZO中任意一种材料制成，厚度为120-200nm；和/或，所述第二透明导电薄膜TCO层(10)是通过PVD或RPD方法制备，所述第二透明导电薄膜TCO层(10)由ITO、IWO、IMO、AZO中任意一种材料制成，厚度为80-150nm。