[发明专利]具有连接至串选择线的选择线钉柱的半导体装置在审
申请号: | 202011478012.7 | 申请日: | 2020-12-15 |
公开(公告)号: | CN113488480A | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 柳孝俊;金宽容;姜书求;沈善一;赵源锡;韩智勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11563 | 分类号: | H01L27/11563;H01L27/11578;H01L27/11568;H01L27/11573 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体装置包括:存储器堆叠件,其设置在衬底上,并且包括下栅电极;上栅极堆叠件,其包括串选择线;竖直地延伸的存储器栅极接触件,其设置在下栅电极上;以及竖直地延伸的选择线钉柱,其设置在串选择线上。串选择线包括与下栅电极的材料不同的材料,并且选择线钉柱包括与存储器栅极接触件的材料不同的材料。 | ||
搜索关键词: | 具有 连接 选择 线钉柱 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的