[发明专利]一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器有效

专利信息
申请号: 202011466005.5 申请日: 2020-12-13
公开(公告)号: CN112626620B 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 余盛杰;汪洋;潘影;刘佳宝;柴攀;万强 申请(专利权)人: 湖南德智新材料有限公司
主分类号: C30B29/40 分类号: C30B29/40;C30B25/02
代理公司: 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 代理人: 周孝湖
地址: 412000 湖南省株洲市天元区中*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器,包括石墨基材,石墨基材的外表面包覆有硅过渡层,硅过渡层的外表面包覆有TaC涂层,TaC涂层由靠近硅过渡层的一侧至远离硅过渡层的一侧孔隙率逐渐增大。该用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器镓源的挥发效率高、蒸发器石墨基材不易受高温腐蚀性气氛侵蚀、使用寿命更长。
搜索关键词: 一种 用于 氢化物 外延 生长 氮化 蒸发器
【主权项】:
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