[发明专利]多电平单元（MLC）交叉点存储器在审
| 申请号： | 202011452135.3 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN113450855A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | S·兰格恩;K·潘加尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 多电平单元(MLC)交叉点存储器单元可以每单元存储多于1位。在一个示例中，可以通过独立地改变开关元件和存储器元件的状态来实现用于交叉点存储器的MLC写入操作。该存储器单元可以被编程到多种状态，例如高阈值电压状态(其中，存储器元件和开关元件两者呈现高阈值电压或电阻)、低阈值电压状态(其中，存储器元件和选择元件两者呈现低阈值电压或电阻)、以及一种或多种中间电阻状态。在一个示例中，可以通过将开关元件和存储器元件设置成相反状态(例如，开关元件和存储器元件中的一个处于高电阻状态，并且另一个处于低电阻状态)或者通过将开关元件和存储器元件两者置于不同的中间状态，来编程附加电阻状态。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 单元 mlc 交叉点 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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