[发明专利]多电平单元（MLC）交叉点存储器

说明书

多电平单元(MLC)交叉点存储器单元可以每单元存储多于1位。在一个示例中，可以通过独立地改变开关元件和存储器元件的状态来实现用于交叉点存储器的MLC写入操作。该存储器单元可以被编程到多种状态，例如高阈值电压状态(其中，存储器元件和开关元件两者呈现高阈值电压或电阻)、低阈值电压状态(其中，存储器元件和选择元件两者呈现低阈值电压或电阻)、以及一种或多种中间电阻状态。在一个示例中，可以通过将开关元件和存储器元件设置成相反状态(例如，开关元件和存储器元件中的一个处于高电阻状态，并且另一个处于低电阻状态)或者通过将开关元件和存储器元件两者置于不同的中间状态，来编程附加电阻状态。

技术领域

说明书总体上涉及存储器，并且更特别地，涉及用于存取多电平单元(MLC)交叉点存储器的技术。

背景技术

存储器资源在电子设备和其他计算环境中具有非常多的应用。存在对可以缩放得比传统存储器器件更小的存储器技术的需求。然而，对更小并且更高能量效率的器件的持续驱动已经导致传统存储器器件的缩放问题。三维存储器器件作为对传统存储器器件缩放限制的解决方案而出现。

附图说明

以下描述包括对附图的讨论，附图具有通过本发明的实施例的实施方式的示例的方式而给出的图示。应当以示例的方式而非限制的方式来理解附图。如本文所用，对一个或多个“实施例”的引用要被理解为描述包括一个或多个特定特征、结构或特性的本发明的至少一个实施方式。因此，本文中出现的诸如“在一个实施例中”或“在替代实施例中”的短语描述了本发明的各种实施例和实施方式，并且未必全部指相同的实施例。然而，它们也未必相互排斥。

图1是存储器单元的示例。

图2A和图2B是示出用于交叉点存储器的多位编码的示例的表格。

图3A示出了单电平交叉点单元的阈值电压分布的示例。

图3B示出了多电平交叉点单元的阈值电压分布的示例。

图4A-图4H示出了用于写入到MLC交叉点存储器单元的电流波形的示例。

图5示出了用于从MLC交叉点存储器单元读取的多个读取电压的示例。

图6A-图6G示出了用于从MLC交叉点存储器单元读取的电流波形的示例。

图7A示出了交叉点存储器单元的编程转移特性图的示例。

图7B示出了使存储器单元从设置状态转变到重置状态的电流脉冲的示例。

图8A示出了交叉点存储器单元的编程转移特性图的示例。

图8B示出了用于将存储器元件置于高电阻状态并且关断开关元件效应的电流脉冲的示例。

图9示出了交叉点器件的编程转移特性图，其具有用于引起本文所述各种状态转变的电流幅度的示例。

图10是交叉点存储器单元的示例。

图11示出了存储器单元阵列的一部分的示例。

图12是可以包括实施本文所述的MLC存取技术的非易失性存储器器件的系统的框图。

图13提供了可以包括实施本文所述的MLC存取技术的非易失性存储器器件的计算系统的示例性描绘。

下面是对某些细节和实施方式的描述，包括对附图的描述，附图可以描绘下述实施例的一些或全部，并且讨论本文给出的发明概念的其他潜在实施例或实施方式。

具体实施方式

描述了多电平单元(MLC)交叉点存储器。