[发明专利]多电平单元（MLC）交叉点存储器

权利要求书

1.一种存储器器件，包括：

交叉点存储器单元的阵列，所述交叉点存储器单元中的每一个包括存储器元件和开关元件；以及

电路，所述电路用于独立地设置所述阵列的交叉点存储器单元的所述存储器元件的状态和所述开关元件的状态，以将所述交叉点存储器单元编程到多个逻辑值中的一个；

所述多个逻辑值包括：

对应于低量值阈值电压的第一逻辑值，

对应于高量值阈值电压的第二逻辑值，以及

对应于中间阈值电压的第三逻辑值，所述中间阈值电压具有小于所述高量值阈值电压并且大于所述低量值阈值电压的量值。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中：

所述第一逻辑值对应于所述存储器元件和所述开关元件两者的低电阻状态；并且

所述第二逻辑值对应于所述交叉点存储器单元的所述存储器元件和所述开关元件两者的高电阻状态。

3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中：

所述第三逻辑值对应于所述存储器元件的所述高电阻状态和所述开关元件的所述低电阻状态。

4.根据权利要求2所述的存储器器件，其中：

所述第三逻辑值对应于所述存储器元件的中间电阻状态和开关元件的中间电阻状态。

5.根据权利要求3所述的存储器器件，其中，所述多个逻辑值包括：

第四逻辑值，所述第四逻辑值对应于所述存储器元件的所述低电阻状态和所述开关元件的所述高电阻状态。

6.根据权利要求4所述的存储器器件，其中，所述多个逻辑值包括：

第四逻辑值，所述第四逻辑值对应于所述存储器元件的第二中间电阻状态和所述开关元件的第二中间电阻状态。

7.根据权利要求3所述的存储器器件，其中，所述电路用于将所述交叉点存储器单元编程到所述第三逻辑值，包括用于：

在确定所述存储器元件处于所述高电阻状态之后，将电流施加到所述交叉点存储器单元，以使所述开关元件处于所述低电阻状态。

8.根据权利要求7所述的存储器器件，其中，用于将所述交叉点存储器单元编程到所述第三逻辑值的所述电路用于：

在编程之前确定所述存储器元件的电阻状态；并且

如果在编程之前所述存储器元件处于所述低电阻状态：

在施加所述电流以使所述开关元件处于所述低电阻状态之前，施加较高量值的电流，以使所述存储器元件处于所述高电阻状态。

9.根据权利要求4所述的存储器器件，其中，所述电路用于将所述交叉点存储器单元编程到所述第三逻辑值，包括用于：

将电流施加到所述交叉点存储器单元，以使所述开关元件和所述存储器元件处于所述中间电阻状态。

10.根据权利要求5所述的存储器器件，其中，所述电路用于将所述交叉点存储器单元编程到所述第四逻辑值，包括用于：

在确定所述存储器元件处于所述低电阻状态之后，将电流施加到所述交叉点存储器单元，以使所述开关元件处于所述高电阻状态。

11.根据权利要求10所述的存储器器件，其中，用于将所述交叉点存储器单元编程到所述第四逻辑值的所述电路用于：

在编程之前确定所述存储器元件的电阻状态；并且

如果在编程之前所述存储器元件处于所述高电阻状态：

在施加所述电流以使所述开关元件处于所述高电阻状态之前，施加较低量值的电流，以使所述存储器元件处于所述低电阻状态。

12.根据权利要求6所述的存储器器件，其中，所述电路用于将所述交叉点存储器单元编程到所述第四逻辑值，包括用于：

将电流施加到所述交叉点存储器单元，以使所述开关元件和所述存储器元件处于所述第二中间电阻状态；并且

其中，所述电流具有小于使所述存储器元件处于高电阻状态的电流的量值。