[发明专利]用于交叉点存储器的选择方案在审

专利信息
申请号: 202011451494.7 申请日: 2020-12-10
公开(公告)号: CN113450845A 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: D·曼泰加扎;K·J·允;J·格尔曼;D-S·李-加尼翁 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G11C7/12 分类号: G11C7/12;G11C8/08
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘瑜
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 描述了用于交叉点存储器的选择方案。在一个示例中,跨存储单元施加的选择电压缓慢地斜升。一旦存储单元达到阈值,就使电压减小到用于执行读取或写入操作的电平。一旦已经选择特定的单元(例如,阈值),则减小电压使附加的瞬态电流最小化,可能通过进一步增大在读取或写入操作期间所施加的选择偏置而生成该附加的瞬态电流。瞬态电流的减小可以导致读取干扰和写入耐久性问题的改善。取决于存储阵列内部的单元位置,可以不同地设置选择斜坡率和偏置后选择以进一步改善单元性能。
搜索关键词: 用于 交叉点 存储器 选择 方案
【主权项】:
暂无信息
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