[发明专利]用于交叉点存储器的选择方案

说明书

描述了用于交叉点存储器的选择方案。在一个示例中，跨存储单元施加的选择电压缓慢地斜升。一旦存储单元达到阈值，就使电压减小到用于执行读取或写入操作的电平。一旦已经选择特定的单元(例如，阈值)，则减小电压使附加的瞬态电流最小化，可能通过进一步增大在读取或写入操作期间所施加的选择偏置而生成该附加的瞬态电流。瞬态电流的减小可以导致读取干扰和写入耐久性问题的改善。取决于存储阵列内部的单元位置，可以不同地设置选择斜坡率和偏置后选择以进一步改善单元性能。

技术领域

该说明书通常涉及存储器，并且更具体地，涉及用于对交叉点存储器进行存取的改善的技术。

背景技术

存储器资源在电子设备和其他计算环境中具有无数的应用。需要可以比传统存储器件缩放到更小的存储技术。然而，持续趋向于更小和更节能的器件已经导致了传统存储器件的缩放问题。三维存储器件作为对传统存储器件的缩放限制的解决方案而出现。

附图说明

下面的描述包括对附图的讨论，附图具有通过本发明的实施例的实施方式的示例的方式给出的说明。附图应当通过示例性的方式而非限制性的方式被理解。如本文所使用的，对一个或多个“实施例”的参考将被理解为描述了本发明的至少一种实施方式，该实施方式包括一个或多个特定的特征、结构、或特性。因此，本文中出现的诸如“在一个实施例中”或“在替代性实施例中”的短语描述了本发明的各种实施例和实施方式，并且不一定全都指相同的实施例。然而，它们也不一定相互排斥。

图1是存储单元的示例。

图2A示出了用于选择存储单元的波形的示例。

图2B示出了用于选择存储单元的波形的示例。

图3是示出在给定的选择偏置下存储单元阈值电压与达到阈值的机会和达到阈值的时间相比的示例的曲线图。

图4A示出了用于实施选择方案的电路拓扑的示例。

图4B是控制电路的示例的块图。

图5是对存储单元进行存取的方法的流程图。

图6是交叉点存储单元的示例。

图7示出了存储单元阵列的一部分的示例。

图8是可以包括实施本文所述的存取技术的非易失性存储器件的系统的块图。

图9提供计算系统的示例性描绘，该计算系统可以包括实施本文所述的存取技术的非易失性存储器件。

下面是对某些细节和实施方式的描述，包括对附图的描述，附图可以描绘下面描述的实施例中的一些或全部，以及讨论本文提出的发明构思的其他潜在的实施例或实施方式。

具体实施方式

描述了用于交叉点存储器的选择方案。

通常，在从交叉点存储单元读取或写入到交叉点存储单元之前，选择该单元。为了选择存储单元，跨存储单元施加具有特定的极性、幅值、和持续时间的电压。一旦选择了单元，寄生瞬态电流可能通过该单元。由于选择存储单元而产生的寄生瞬态电流被称为“选择尖峰(selection spike)”。选择尖峰可能足够大以引起可靠性和性能问题，例如读取干扰和写入耐久性问题。

存在各种减轻选择尖峰的方式。例如，选择尖峰已经通过以下方式被解决：选择器单元工程(例如，阈值电压减小)、完整存储单元工程(例如，调整电极电阻率)、屏蔽阵列外部的外围电容、或通过所施加的栅极电压调节局部字线或位线晶体管的电阻。然而，这些技术可能不足够保证读取干扰和写入耐久性要求。