[发明专利]用于交叉点存储器的选择方案在审
申请号: | 202011451494.7 | 申请日: | 2020-12-10 |
公开(公告)号: | CN113450845A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | D·曼泰加扎;K·J·允;J·格尔曼;D-S·李-加尼翁 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G11C7/12 | 分类号: | G11C7/12;G11C8/08 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘瑜 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 交叉点 存储器 选择 方案 | ||
1.一种电路,包括:
交叉点存储阵列的存储单元;以及
电路,所述电路用于:
跨所述存储单元施加第一选择电压;
将跨所述存储单元的电压的幅值从所述第一选择电压增大到第二选择电压;
检测所述存储单元的阈值;并且
响应于所述存储单元的所述阈值的检测,减小跨所述存储单元的所述电压的所述幅值。
2.根据权利要求1所述的电路,其中,用于增大所述电压的所述电路用于:
以恒定的斜率增大跨所述存储单元的所述电压。
3.根据权利要求1所述的电路,其中,用于增大所述电压的所述电路用于:
逐步增大跨所述存储单元的所述电压。
4.根据权利要求1所述的电路,其中,用于减小跨所述存储单元的所述电压的所述幅值的所述电路用于:
施加具有小于所述第二选择电压的幅值的第三电压。
5.根据权利要求4所述的电路,其中,所述电路用于:
在跨所述存储单元施加所述第三电压之后,施加电流以从所述存储单元读取或写入到所述存储单元。
6.根据权利要求1所述的电路,其中,用于检测所述存储单元的所述阈值的所述电路用于:
检测跨所述存储单元的电压或通过所述存储单元的电流的变化。
7.根据权利要求1所述的电路,其中,用于检测所述存储单元的所述阈值的所述电路用于:
在选择晶体管和电源电压之间的节点处检测跨所述存储单元的电压或通过所述存储单元的电流的变化。
8.根据权利要求1所述的电路,其中,用于减小跨所述存储单元的所述电压的所述幅值的所述电路用于:
从第一电压源切换到第二电压源;
其中,所述第一电压源用于施加所述第一选择电压并将所述电压从所述第一选择电压增大到第二选择电压;并且
其中,所述第二电压源用于施加具有小于所述第二选择电压的幅值的第三电压。
9.根据权利要求8所述的电路,其中:
所述第一电压源包括在选择晶体管和电源电压之间的第一源极跟随器晶体管;并且
所述第二电压源包括在所述选择晶体管和电流源之间的第二源极跟随器晶体管。
10.根据权利要求4所述的电路,其中:
基于所述交叉点存储阵列中的所述存储单元的位置,从多个电压中选择所述第一选择电压、所述第二选择电压和所述第三电压中的一个或多个。
11.根据权利要求4所述的电路,其中:
从所述第一选择电压到所述第二选择电压的斜坡率基于所述交叉点存储阵列中的所述存储单元的位置。
12.根据权利要求4所述的电路,其中:
所述第一选择电压的所述幅值小于所述第三电压的所述幅值。
13.根据权利要求1所述的电路,其中:
所述第一选择电压的所述幅值小于或等于最小预期的阈值电压幅值。
14.根据权利要求12所述的电路,其中:
所述第二选择电压的所述幅值大于所述第一选择电压的所述幅值,并且大于或等于最大预期的阈值电压幅值。
15.一种存储器件,包括:
交叉点存储阵列;以及
电路,所述电路用于:
跨所述交叉点存储阵列的存储单元施加第一选择电压;
将跨所述存储单元的电压的幅值从所述第一选择电压增大到第二选择电压;
检测所述存储单元的阈值;并且
响应于所述存储单元的所述阈值的检测,减小跨所述存储单元的所述电压的所述幅值。
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