[发明专利]基于复合结构样品台提高金刚石异质外延大尺寸形核均匀性的方法有效
| 申请号： | 202011446248.2 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112609240B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 朱嘉琦;王伟华;房诗舒;代兵;舒国阳;韩杰才 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/12 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 基于复合结构样品台提高金刚石异质外延大尺寸形核均匀性的方法，本发明属于化学气相沉积法异质外延单晶金刚石生长领域，它为了解决现有难以实现异质衬底大尺寸高密度外延形核的难题。提高金刚石异质外延形核均匀性的方法：一、将复合结构样品台放置在MPCVD设备的水冷台中心位置，异质衬底放置在样品台的中心位置，抽真空；二、启动微波发生器，激发气体电离和解离；三、偏压增强形核过程：通入甲烷气体，进行等离子体预处理，然后启动偏压电源施加偏压；四、降低甲烷浓度，进行金刚石外延生长，直至沉积生长结束。本发明样品台具有类似于台阶的结构以及数量更多的边缘尖端区域，能在偏置电场的作用下直流辉光层的面积更均匀分布在样品上方。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 复合 结构 样品 提高 金刚石 外延 尺寸 均匀 方法 | ||
【主权项】：
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