[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202011421662.8 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112510148B | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 尹彬沣;王永志;钱长成 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 董旭东;赵荔 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了存储器技术领域内的一种阻变存储器及其制备方法，包括自下而上依次设置的底电极、介质层和顶电极，底电极为活性电极Ag、Cu或亲氧电极W、Ti、TiN中的一种，介质层包括至少一种氧化层和一种聚合物的薄膜，顶电极包括惰性电极Pt、Au或Pd中的一种；使用本发明制备出的阻变存储器开关比高，提高复位电压的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州大学，未经扬州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011421662.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于几何自注意力机制的图像自动标注方法
- 下一篇：一种自保温防冻融的砂浆
