[发明专利]一种硅基Micro OLED微显示器件像素定义层角度改善方法在审
| 申请号： | 202011415175.0 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112542503A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 曹贺;赵铮涛;刘胜芳;邓琼;王志超 | 申请（专利权）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 任晨晨 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种硅基Micro OLED微显示器件像素定义层角度改善方法，与现有技术相比，本发明PDL采用SiO+SiN双层结构，进行一道刻蚀后，PDL角度能控制在55°‑63°左右，均优于传统制程工艺，角度较低，蒸镀层在拐点处爬坡较易，不会出现断裂现象，对阴极断裂有极大的改善效果，可满足硅基micro OLED微显示器件像素定义层的需求，本发明通过PDL制程工艺优化来改善PDL角度的方法，达到改善阴极断裂状况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 micro oled 显示 器件 像素 定义 角度 改善 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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