[发明专利]一种硅基Micro OLED微显示器件像素定义层角度改善方法

权利要求书

1.一种硅基Micro OLED微显示器件像素定义层角度改善方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

1)、将已完成阳极制作的片子清洗后，进行PDL层成膜，先沉积一层SiO膜层，得到基板1；

2)、对基板1，在SiO膜层上，再沉积一层SiN膜层，得到基板2；

3)、对基板2进行涂布曝光显影作业，得到基板3；

4)、对基板3进行刻蚀；

5)、去除光刻胶,即得基板4。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中，对硅基Micro OLED微显示器件PDL层沉积采用CVD沉积方式，SiO膜层厚度30nm-60nm，膜层沉积速率选择为20A/s-30A/S。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤1)中，SiO沉膜工艺参数：功率为700W±10w，压力800mT±5mT，温度选择80℃±5℃，气体选择N₂0，流量为260sccm±15sccm，SiO膜厚控制在30nm-60nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中，沉积SiN膜层，SiN膜层厚度30nm-60nm。

5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，步骤2)中，沉积SiN膜层采用CVD成膜工艺：功率为850W±5w，压力1100mT±10mT，温度选择85℃±10℃，气体选择NH₃，流量为200sccm±15sccm，SiN膜厚控制在30nm-60nm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)中涂布曝光显影作业的：涂胶胶厚选择0.5μm-0.7μm,涂胶均一性保证＜2％，软烘温度选择100℃-130℃，软烘时间选择80s-110s；曝光采用DUV机台曝光，能量选择35mj/cm²-48mj/cm²；后烘稳定控制在100℃-130℃，后烘时间控制在70s-100s；显影温度控制在22℃-25℃，显影时间控制在80s-100s；硬烘温度控制在120℃-160℃，硬烘时间控制在80s-120s。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)中，采用一步刻蚀工艺，进行干法刻蚀作业。

8.根据权利要求1或7所述的方法，其特征在于，步骤4)中，具体蚀刻工艺如下：蚀刻气体选用CF₄和O₂，CF₄气流量大小控制在10sccm-30sccm，O₂气流量大小控制在10sccm-15sccm，压力控制在3mTorr-10mTorr，电源功率Source Power控制在10W-30W，偏置功率Bias power控制在150W-250W；刻蚀温度控制在15℃-30℃。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5)中去除光刻胶，采用湿法去胶工艺，去胶液采用NMP，去胶温度60℃，去胶时间600s。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5)处理后，PDL角度控制在55°-63°。