[发明专利]一种硅基Micro OLED微显示器件像素定义层角度改善方法

说明书

本发明提供了一种硅基Micro OLED微显示器件像素定义层角度改善方法，与现有技术相比，本发明PDL采用SiO+SiN双层结构，进行一道刻蚀后，PDL角度能控制在55°‑63°左右，均优于传统制程工艺，角度较低，蒸镀层在拐点处爬坡较易，不会出现断裂现象，对阴极断裂有极大的改善效果，可满足硅基micro OLED微显示器件像素定义层的需求，本发明通过PDL制程工艺优化来改善PDL角度的方法，达到改善阴极断裂状况。

技术领域

本发明属于硅基Micro OLED微显示领域，具体涉及一种硅基Micro OLED 微显示器件像素定义层角度改善方法。

背景技术

伴随着5G技术的到来，第一阶段场景的最大的应用就是VR和AR产业，同时，因为AR微显示、光学、感知交互板块技术的研发更新及突破，越来越多的科技公司开始着手于硅基OLED微型显示器件的布局及量产准备。OLED，也就是有机发光二极管，采用的是有机发光材料，其各项性能也比传统液晶显示器 (LCD)优异，被视为CRT、LCD之后的第三代显示技术。硅基OLED微型显示技术，是显示行业的一个新兴分支，其主要是由IC制造技术和OLED技术组成。目前其量产还面临着较大的挑战，在其制造过程中，较多的工艺难点造成其良率的loss较大。其中阴极断裂不良占据较多的良率损失。阴极断裂后，在点亮时呈现为像素黑点现象，造成点亮异常。故改善阴极断裂情况变得尤为重要。阴极断裂，主要原因为PDL角度过大及阳极像素间落差较大造成。

目前的像素定义层工艺主要为，先进行SiN的CVD沉积，然后进行黄光段工艺，经过涂布曝光显影后，进行干法刻蚀作业，以达成所需的PDL形貌，因黄光段前值PR角度难以下调，最低只能控制在75°左右,此角度阴极断裂概率较大,且干刻后SiN的Taper较大，导致后续在蒸镀OLED层及阴极后，因阴极较薄，在爬坡时容易断裂，造成阴极断裂不良，本发明披露了一种硅基Micro OLED 微显示器件像素定义层角度的改善方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅基Micro OLED微显示器件像素定义层角度改善方法，PDL采用SiO+SiN双层结构，进行一道刻蚀后，PDL角度能控制在55° -63°左右，均优于传统制程工艺，角度较低，蒸镀层在拐点处爬坡较易，不会出现断裂现象，对阴极断裂有极大的改善效果，可满足硅基micro OLED微显示器件像素定义层的需求，本发明通过PDL制程工艺优化来改善PDL角度的方法，达到改善阴极断裂状况。

本发明具体技术方案如下：

一种硅基Micro OLED微显示器件像素定义层角度改善方法，包括以下步骤：

1)、将已完成阳极制作的片子清洗后，进行PDL层成膜，先沉积一层SiO膜层，得到基板1；

2)、对基板1，在SiO膜层上，再沉积一层SiN膜层，得到基板2；

3)、对基板2进行涂布曝光显影作业，得到基板3；

4)、对基板3进行刻蚀；

5)、去除光刻胶,即得基板4。

进一步的，步骤1)中，对硅基Micro OLED微显示器件PDL层沉积采用CVD沉积方式，SiO膜层厚度30nm-60nm。膜层沉积速率选择为20A/s-30A/S；

进一步的，步骤1)中，SiO沉膜工艺参数：功率为700W±10w，压力800mT ±5mT，温度选择80℃±5℃，气体选择N₂0，流量为260sccm±15sccm，SiO膜厚控制在30nm-60nm。

优选的，SiO膜层厚度控制在40nm；

步骤1)中，将已完成阳极制作的片子清洗后采用纯水冲洗，冲洗时间300s。此清洗方式避免阳极损伤。